Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
Ситников, С. В., Косолобов, С. С., Латышев, А. В.
Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 212-215
Ситников_зарождение