-
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В.
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 3. - С. 414-420 .-
Кукушкин_отделение
-
Рост ограненных пор в кристалле по механизму Бартона-Кабреры-Франка
Редьков, А. В.
Рост ограненных пор в кристалле по механизму Бартона-Кабреры-Франка, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2385-2389 .-
Редьков_рост
-
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
Китаев, Ю. Э., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В.
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 10. - С. 2022-2027 .-
Китаев_новая
-
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Котляр, К. П., Лихачев, А. И., Нащекин, А. В., Сошников, И. П.
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 .-
Редьков_эволюция
