-
Быстродействующие мостиковые фотоприемники для средней инфракрасной области спектра
Пивоварова, А. А., Куницына, Е. В., Коновалов, Г. Г., Слипченко, С. О., Подоскин, А. А., Андреев, И. А., Пихтин, Н. А., Ильинская, Н. Д., Черняков, А. Е., Яковлев, Ю. П.
Быстродействующие мостиковые фотоприемники для средней инфракрасной области спектра, А. А. Пивоварова, Е. В. Куницына, Г. Г. Коновалов [и др.]
// Журнал прикладной спектроскопии .-
2023 .-
Т. 90, № 1. - С. 102-108 .-
-
Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
Гаврина, П. С., Соболева, О. С., Подоскин, А. А., Казакова, А. Е., Капитонов, В. А., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А.
Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 734-742
Гаврина_исследование
-
Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
Подоскин, А. А., Романович, Д. Н., Шашкин, И. С., Гаврина, П. С., Соколова, З. Н., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А.
Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 5. - С. 484-489 .-
Подоскин_модель
-
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
Слипченко, С. О., Подоскин, А. А., Соболева, О. С., Юферев, В. С., Головин, В. С., Гаврина, П. С., Романович, Д. Н., Мирошников, И. В., Пихтин, Н. А.
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 452-457
Слипченко_исследования
-
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
Соболева, О. С., Головин, В. С., Юферев, В. С., Гаврина, П. С., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Подоскин, А. А.
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs , [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 478-483
Соболева_моделирование
