-
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Слаповский, Д. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Клековкин, А. В.
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 4. - С. 461-466
Слаповский_сплавные
-
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Арутюнян, С. С., Фёдоров, Ю. В. , Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Томош, К. Н., Федоров, Ю. В.
Двухслойная диэлектрическая маска Si[3]N[4]/SiO[2] для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1138-1142
Арутюнян_двухслойная
-
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ
Томош, К. Н., Павлов, А. Ю., Павлов, В. Ю., Хабибуллин, Р. А., Арутюнян, С. С., Мальцев, П.П.
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si[3]N[4] in situ, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1434-1438 .-
Томош_исследование
