Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния
  Китаев, Ю. Э., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 1. - С. 30-35 .- Китаев_эволюция
• Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si
  Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Николаев, В. И., Осипов, А. В., Осипова, Е. В., Сошников, И. П.
  
  Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 5. - С. 851-856 .- Гращенко_исследование анизотропных
• Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Бессолов, В. Н., Коненкова, Е. В., Пантелеев, В. Н.
  
  Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 4. - С. 660-667 .- Кукушкин_остановка
• Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов
  Кукушкин, С. А., Нусупов, К. Х., Осипов, А. В., Бейсенханов, Н. Б., Бакранова, Д. И.
  
  Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 5. - С. 986-998 .- Кукушкин_рентгеновская
• Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов (обзор)
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов (обзор), С. А. Кукушкин, А. В. Осипов К 90-летию со дня рождения А. И. Русанова .- // Журнал общей химии .- 2022 .- Т. 92, № 4. - С. 547-577 .-
• Синтез и свойства полимерного дубителя на основе акриламида
  Осипов, А. В., Чурсин, В. И.
  
  Синтез и свойства полимерного дубителя на основе акриламида, [Текст] Ил.4 Химия и химическая технология. Известия вузов , 2007, Т.50, № 12.- С.93-95
• Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 6. - С. 1214-1217 .- Кукушкин_квантово-механическая
• ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
  Грудинкин, С. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Феоктистов, Н. А.
  
  ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 12. - С. 2403-2408 .- Грудинкин_ИК-спектры
• Керамические композиты на основе циркона и оксида циркония
  Уголков, В. Л., Ковальчук, Н. А., Осипов, А. В., Мезенцева, Л. П., Акатов, А. А.
  
  Керамические композиты на основе циркона и оксида циркония, В. Л. Уголков, Н. А. Ковальчук, А. В. Осипов [и др.] ил. // Новые огнеупоры .- 2023 .- № 9. - С. 28-33 .-
• Национальная безопасность как теоретико-правовая категория
  Осипов, А. В.
  
  Национальная безопасность как теоретико-правовая категория, А. В. Осипов 2019, № 1. - С. 122-126, Проблемы управления, 2071-3711
• Формирование и термическое поведение твердых растворов Bi[5-x]Ca[x]FeTi[3]O[15-дельта]
  Ломанова, Н. А., Томкович, М. В., Осипов, А. В., Уголков, В. Л., Панчук, В. В., Семенов, В. Г.
  
  Формирование и термическое поведение твердых растворов Bi[5-x]Ca[x]FeTi[3]O[15-дельта], Н. А. Ломанова, М. В. Томкович, А. В. Осипов [и др.] // Журнал общей химии .- 2020 .- Т. 90, № 6. - С. 935-940 .-
• Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии
  Антипов, В. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 3. - С. 612-615 .- Антипов_эпитаксиальный
• Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 4. - С. 725-729 .- Кукушкин_фазовое
• Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Сергеева, О. Н., Киселев, Д. А., Богомолов, А. А., Солнышкин, А. В., Каптелов, Е. Ю., Сенкевич, С. В., Пронин, И. П.
  
  Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 5. - С. 937-940 .- Кукушкин_пироэлектрический
• Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Телятник, Р. С.
  
  Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 5. - С. 941-949 .- Кукушкин_упругое
• Золь-гель синтез наноразмерных порошков и получение керамических композитов на основе циркона и оксида циркония
  Уголков, В. Л., Ковальчук, Н. А., Осипов, А. В., Мезенцева, Л. П.
  
  Золь-гель синтез наноразмерных порошков и получение керамических композитов на основе циркона и оксида циркония, В. Л. Уголков, Н. А. Ковальчук, А. В. Осипов, Л. П. Мезенцева // Физика и химия стекла .- 2023 .- Т. 49, № 5. - С. 522-531 .-
• Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
  Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Романычев, А. И.
  
  Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 7. - С. 1398-1402 .- Кукушкин_эпитаксиальный
• Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
  Кукушкин, С. А., Николаев, В. И., Осипов, А. В., Осипова, Е. В., Печников, А. И., Феоктистов, Н. А.
  
  Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 9. - С. 1812-1817 .- Кукушкин_эпитаксиальный оксид
• Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
  Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Цырлин, Г. Э.
  
  Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 .- Резник_рост
• Магнитные характеристики нанокристаллических материалов на основе BiFeO[3], синтезированных методом растворного горения
  Ломанова, Н. А., Томкович, М. В., Данилович, Д. П., Осипов, А. В., Панчук, В. В., Семенов, В. Г., Плешаков, И. В., Волков, М. П., Гусаров, В. В.
  
  Магнитные характеристики нанокристаллических материалов на основе BiFeO[3], синтезированных методом растворного горения, Н. А. Ломанова, М. В. Томкович, Д. П. Данилович [и др.] 5 рис., 2 табл. // Неорганические материалы .- 2020 .- Т. 56, № 12. - С. 1342-1349 .-