-
Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3]
Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Михайлов, Ю. И., Малин, Т. В., Милахин, Д. С., Журавлев, К. С.
Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3], [Электронный ресурс]
ил.
Химия в интересах устойчивого развития, 2019, Т. 27, № 3. - С. 317-322
Мансуров_физико-химические
-
Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3]
Милахин, Д. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Александров, И. А., Ржеуцкий, Н. В., Лебедок, Е. В., Разумец, Е. А., Журавлев, К. С.
Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3], [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 .-
Милахин_формирование
-
Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
Малин, Т. В., Журавлёв, К. С., Милахин, Д. С., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Ратников, В. В., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Журавлeв, К. С.
Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 643-650
Малин_влияние
