-
Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
Михайлова, М. П., Лёвин, Р. В., Иванов, Э. В., Данилов, Л. В., Левин, Р. В., Андреев, И. А., Куницына, Е. В., Яковлев, Ю. П.
Электролюминесценция в гетероструктурах n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ, [Текст]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2019 .-
Т. 53, вып. 1. - С. 50-54 .-
Михайлова_электролюминесценция
-
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP
Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Потапович, Н. С., Левин, Р. В., Маричев, А. E., Тимошина, Н. Х., Пушный, Б. В.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1064нм) на основе GaInAsP/InP , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1641-1646
Хвостиков_фотоэлектрические
-
Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Левин, Р. В., Лёвин, Р. В., Неведомский, В. Н., Баженов, Н. Л., Зегря, Г. Г. , Пушный, Б. В., Мизеров, М. Н.
Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 273-276
Левин_исследование
-
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
Хвостиков, В. П., Лёвин, Р. В., Сорокина, С. В., Хвостикова, О. А., Левин, Р. В., Пушный, Б. В., Тимошина, Н. Х., Андреев, В.М.
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (лямбда = 1550нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики , [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1358-1362 .-
Хвостиков_фотоэлектрические
