-
Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения
Ли, Г. В., Лихачёв, А. И., Астрова, Е. В., Лихачев, А. И.
Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 119-131
Ли_фотоанодирование
-
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si в режиме пробоя
Ли, Г. В., Лихачёв, А. И., Астрова, Е. В., Лихачев, А. И.
Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si в режиме пробоя, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1614-1624
Ли_влияние
-
Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
цв. ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .-
Сресели_квантовые
