-
Длинноволновые (lambda[0.1] = 10 mum, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb[0.38]
Кунков, Р. Э., Климов, А. А., Лебедева, Н. М., Лухмырина, Т. С., Матвеев, Б. А., Ременный, М. А., Усикова, А. А.
Длинноволновые (lambda[0.1] = 10 mum, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb[0.38], Р. Э. Кунков, А. А. Климов, Н. М. Лебедева [и др.]
1 файл (770 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2023 .-
Т. 131, № 11. - С. 1505-1508 .-
-
Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
Ильинская, Н. Д., Лебедева, Н. М., Задиранов, Ю. М., Иванов, П. А., Самсонова, Т. П., Коньков, О. И., Потапов, А. С.
Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 1. - С. 97-102 .-
Ильинская_микропрофилирование
-
О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
Лебедева, Н. М., Ильинская, Н. Д., Иванов, П. А.
О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 207-211
Лебедева_о защите
