Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
  Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
  
  Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 292-295 Асланян_фотореверсивный
• Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
  Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Мирзаи, С. С., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
  
  Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 420-425 Асланян_исследование