-
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор)
Михайлова, М. П., Копьёв, П. С. , Иванов, Э. В., Данилов, Л. В., Калинина, К. В., Яковлев, Ю. П., Копьев, П. С.
Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (обзор), [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 12. - С. 1267-1288 .-
Михайлова_излучательная
-
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
Золотарёв, В. В., Копьёв, П. С. , Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Веселов, Д. А. , Бахвалов, К. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом, [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 4. - С. 414-419 .-
Шашкин_одномодовые
-
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
Шашкин, И. С., Золотарёв, В. В., Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 408-413
Шашкин_излучательные
