-
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
Самарцев, И. В., Алёшкин, В. Я., Дикарёва, Н. В., Чигинёва, А. Б. , Некоркин, С. М., Звонков, Б. Н. , Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Пашенькин, И. Ю. , Дикарева, Н. В.
Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1460-1463 .-
Самарцев_фотоприемники
-
Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
Дикарева, Н. В., Дикарёва, Н. В., Алёшкин, В. Я., Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Некоркин, С. М., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А.
Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1410-1413
Дикарева_двухчастотный
-
Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
Некоркин, С. М., Дикарёва, Н. В., Звонков, Б. Н. , Байдусь, Н. В., Дикарева, Н. В., Вихрова, О. В., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В.
Влияние ”объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 75-78
Некоркин_влияние
-
Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
Данилов, Ю. А., Ведь, М. В., Вихрова, О. В., Дроздов, М. Н., Звонков, Б. Н. , Ковальский, В. А., Крюков, Р. Н., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Юнин, П. А.
Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 868-872
Данилов_углеродные
