-
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
Горшков, А. П., Левичёв, С. Б. , Волкова, Н. С., Воронин, П. Г., Здоровейщев, А. В. , Истомин, Л. А., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Левичев, С. Б.
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 11. - С. 1447-1450 .-
Горшков_влияние
-
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Истомин, Л. А., Левичев, С. Б.
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511
Горшков_связь
-
Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs
Орлов, М. Л., Волкова, Н. С., Ивина, Н. Л., Орлов, Л. К.
Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1006-1014
Орлов_электрополевое
-
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Иванова, М. М., Качемцев, А. Н., Михайлов, А. Н., Филатов, Д. О., Горшков, А. П., Волкова, Н. С., Чалков, В. Ю., Шенгуров, В. Г.
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 651-655
Иванова_влияние
