Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Петрушков, М. О., Васёв, А. В., Абрамкин, Д. С., Емельянов, Е. А., Путято, М. А., Лошкарев, И. Д., Есин, М. Ю., Комков, О. С., Фирсов, Д. Д., Преображенский, В. В.
Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс]
цв. ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1289-1295
Петрушков_влияние