-
Электрофизические свойства пленок Cd[x]Hg[1-x]Te (x = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)
Варавин, В. С., Марин, Д. В., Якушев, М. В.
Электрофизические свойства пленок Cd[x]Hg[1-x]Te (x = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013), [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 4. - С. 625-629 .-
Варавин_электрофизические
-
Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния
Мынбаев, К. Д. , Заблоцкий, С. В., Шиляев, А. В., Баженов, Н. Л., Якушев, М. В., Марин, Д. В., Варавин, В. С., Дворецкий, С. А.
Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 208-211 .-
Мынбаев_дефекты
-
Концентрация вакансий в подрешетке металла твердых растворов теллуритов кадмия и ртути в зависимости от состава
Варавин, В. С., Сидоров, Г. Ю., Сидоров, Ю. Г.
Концентрация вакансий в подрешетке металла твердых растворов теллуритов кадмия и ртути в зависимости от состава, [Текст]
Журнал физической химии, 2010, Т. 84, № 9.- С. 1605-1612
-
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
Варавин, В. С., Васильев, В. В., Дворецкий, С. А. , Ковчавцев, А. П., Марин, Д. В., Сабинина, И. В., Сидоров, Ю. Г., Сидоров, Г. Ю., Царенко, А. В., Якушев, М. В.
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1652-1656 .-
Варавин_гетероструктуры
-
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD
Евстигнеев, В. С., Варавин, В. С., Чилясов, А. В., Ремесник, В. Г., Моисеев, А. Н., Степанов, Б. С.
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 554-559
Евстигнеев_электрофизические
-
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd[x]Hg[1-x]Te с квантовыми ямами
Козлов, Д. В., Румянцев, В. В., Морозов, С. В., Кадыков, А. М., Фадеев, М. А., Варавин, В. С., Михайлов, Н. Н. , Дворецкий, С. А. , Гавриленко, В.И. , Teppe, F.
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd[x]Hg[1-x]Te с квантовыми ямами, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1690-1696 .-
Козлов_вакансии
