| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости с x ~~ 0.4, выращенных методом MOCVD Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда и времени жизни неосновных носителей заряда в нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоях Hg[1-x]Cd[x]Te p-типа проводимости c x ~~ 0.4, полученных методом MOCVD-IMP. Показано, что температурные зависимости концентрации носителей заряда могут быть описаны моделью, предполагающей наличие одного акцепторного и одного донорного уровней. Значения энергий ионизации акцепторов в нелегированном и легированном мышьяком материалax составили 14 и 3.6 мэВ соответственно. Установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации в нелегированных слоях является рекомбинация Шокли-Рида-Холла, а после низкотемпературного равновесного отжига в парах ртути (230°C, 24 ч) - излучательная рекомбинация. Фундаментальное ограничение времени жизни в легированном мышьяком материалe обусловлено ожепроцессом 7. Активационный отжиг (360°C, 2 ч) легированных слоев позволяет достичь 100%-й активации мышьяка. |
| Ключевые слова | нелегированные эпитаксиальные слои |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 554-559 |
|
| Имя макрообъекта | Евстигнеев_электрофизические |
