-
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111)
Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М.Н., Сеньковский, Б. В., Тимошнев, С. Н.
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111), [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 4. - С. 465-469 .-
Бенеманская_индуцированные
-
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Тимошнев, С. Н. , Мизеров, А. М., Бенеманская, Г. В., Кукушкин, С. А., Буравлев, А. Д.
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 12. - С. 2294-2297 .-
Тимошнев_фотоэмиссионные
-
Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4°
Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М. Н., Осипов, А. В., Сеньковский, Б. В.
Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C1s на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4° и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4° , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 10. - С. 1348-1352
Бенеманская_спектроскопия
