Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS[x]Se[1-x], полученных в матрице пористого оксида алюминия
  Чукавин, А. И., Валеев, Р. Г., Бельтюков, А. Н.
  
  Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS[x]Se[1-x], полученных в матрице пористого оксида алюминия, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 10. - С. 1400-1403 Чукавин_исследования
• Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
  Леньшин, А. С., Кашкаров, В. М., Домашевская, Э. П., Середин, П. В., Бельтюков, А. Н., Гильмутдинов, Ф. З.
  
  Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 4. - С. 773-782 .- Леньшин_состав
• Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562 Середин_влияние
• Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al[2]O[3] различной толщины
  Валеев, Р. Г., Тригуб, А. Л., Чукавин, А. И., Бельтюков, А. Н.
  
  Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al[2]O[3] различной толщины, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 216-221 Валеев_структурные
• Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Тимошнев, С. Н. , Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald
  
  Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 491-503 Середин_влияние