-
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Червяков, А. В.
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 493-499
Асланян_исследование
-
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 292-295
Асланян_фотореверсивный
-
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Мирзаи, С. С., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 420-425
Асланян_исследование
