Gas-phase parameters and reactive-ion etching regimes for Si and SiO[2] in binary Ar+CF[4]/C[4]F[8] mixtures
Efremov, A. M., Kwang-Ho Kwon, Betelin, V. B., Mednikov, K. A.
Gas-phase parameters and reactive-ion etching regimes for Si and SiO[2] in binary Ar+CF[4]/C[4]F[8] mixtures, A. M. Efremov, V. B. Betelin, K. A. Mednikov, Kwang-Ho Kwon
3 рис.
// Известия вузов. Химия и химическая технология .-
2021 .-
Т. 64, вып. 6. - С. 25-34 .-