| Индекс УДК | 66.02 |
|
Gas-phase parameters and reactive-ion etching regimes for Si and SiO[2] in binary Ar+CF[4]/C[4]F[8] mixtures A. M. Efremov, V. B. Betelin, K. A. Mednikov, Kwang-Ho Kwon |
|
| Аннотация | Проведено сравнительное исследование электрофизических параметров плазмы, стационарного состава газовой фазы и закономерностей реактивно-ионного травления Si и SiO[2] в плазме бинарных смесей CF[4]+Ar и C[4]F[8]+Ar в условиях индукционного ВЧ 13, 56 МГц разряда. Показано, что исследованные смеси проявляют близкие свойства ионной компоненты плазмы и электронного газа, но характеризуются существенными отличиями в кинетике атомов и радикалов. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 64, вып. 6. - С. 25-34 |
