Поиск

Plasma parameters and SiO[2] etching kinetics in C[4]F[8] + Ar + O[2] gas mixture

Авторы: Efremov, A. M. Kwang-Ho Kwon Betelin, V. B.
Подробная информация
Индекс УДК 544
Plasma parameters and SiO[2] etching kinetics in C[4]F[8] + Ar + O[2] gas mixture
A. M. Efremov, V. B. Betelin, Kwang-Ho Kwon
Аннотация Проведено исследование влияния соотношения Ar/O[2] на параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику травления SiO[2] в трехкомпонентной смеси C[4]F[8]+Ar+O[2] в условиях, характерных для процессов реактивно-ионного травления. (Алгоритм исследования сочетал измерения скоростей травления, диагностику плазмы зондами Лангмюра и 0-мерную модель плазмы для получения данных по стационарным концентрациям и плотностям потоков активных частиц).
Название источника Известия вузов. Химия и химическая технология
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 63, вып. 6. - С. 37-43