-
Синтез и свойства многокомпонентных медьсодержащих халькогенидных пленок, полученных методом нанесения из раствора
Байдаков, Д. Л.
ил., табл.
// Физика и химия стекла .-
2014 .-
Т. 40, № 4. - С. 566-574 .-
-
Синтез, электрические свойства и структурные особенности медьсодержащих халькогенидных пленок, полученных методом химического нанесения
Байдаков, Д. Л.
Синтез, электрические свойства и структурные особенности медьсодержащих халькогенидных пленок, полученных методом химического нанесения, [Текст]
ил., табл.
Журнал прикладной химии, 2013, Т. 86, № 9. - С. 1381-1388
-
Электропроводность халькогенидных пленок CuI-AgI-As[2]Se[3], PbI[2]-Agi-As[2]Se[3], полученных методом химического нанесения
Байдаков, Д. Л.
Электропроводность халькогенидных пленок CuI-AgI-As[2]Se[3], PbI[2]-Agi-As[2]Se[3], полученных методом химического нанесения , [Текст]
табл.
Физика и химия стекла, 2013, Т. 39, № 6. - С. 891-896
-
Электропроводность и электродные свойства аморфных пленок PbS-Ag[2]S-As[2]S[3] и PbS-AgI-As[2]S[3], нанесенных из растворов стекол в н-бутиламине
Байдаков, Д. Л., Школьников, Е. В.
Электропроводность и электродные свойства аморфных пленок PbS-Ag[2]S-As[2]S[3] и PbS-AgI-As[2]S[3], нанесенных из растворов стекол в н-бутиламине, Д. Л. Байдаков, Е. В. Школьников, [[Текст]]
ил.
2019 .-
Т. 45, № 5. - С. 432-440 .-
// Физика и химия стекла .-
-
Валентное состояние меди в халькогенидных пленках CuI-AgI-As[2]Se[3] и состав поверхности мембран ионоселективных электродов по данным рентгеновской фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии
Байдаков, Д. Л., Виграненко, Ю. Т., Ковалева, О. П., Любавина, А. П.
Валентное состояние меди в халькогенидных пленках CuI-AgI-As[2]Se[3] и состав поверхности мембран ионоселективных электродов по данным рентгеновской фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии, Д. Л. Байдаков, Ю. Т. Виграненко, О. П. Ковалева [и др.]
ил.
// Физика и химия стекла .-
2022 .-
Т. 48, № 4. - С. 421-427 .-
-
Валентное состояние меди в халькогенидных пленках CuI-AgI-As[2]Se[3] и состав поверхности мембран ионоселективных электродов по данным рентгеновской фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии
Байдаков, Д. Л., Виграненко, Ю. Т., Ковалева, О. П., Любавина, А. П.
Валентное состояние меди в халькогенидных пленках CuI-AgI-As[2]Se[3] и состав поверхности мембран ионоселективных электродов по данным рентгеновской фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии, Д. Л. Байдаков, Ю. Т. Виграненко, О. П. Ковалева [и др.]
ил.
// Физика и химия стекла .-
2022 .-
Т. 48, № 4. - С. 421-427 .-
-
Электродные свойства галогенидхалькогенидных стекол и аморфных пленок, полученных методом химического нанесения
Байдаков, Д. Л., Школьников, Е. В.
Электродные свойства галогенидхалькогенидных стекол и аморфных пленок, полученных методом химического нанесения, Байдаков Д. Л., Школьников Е. В., [[Текст]]
ил.
2018 .-
Т. 44, № 4. - С. 423-429 .-
// Физика и химия стекла .-
