| Индекс УДК | 666.113.32 |
|
Валентное состояние меди в халькогенидных пленках CuI-AgI-As[2]Se[3] и состав поверхности мембран ионоселективных электродов по данным рентгеновской фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии Д. Л. Байдаков, Ю. Т. Виграненко, О. П. Ковалева [и др.] |
|
| Аннотация | Исследованы валентное состояние меди и состав поверхности мембран пленочных электродов состава CuI-AgI-As[2]Se[3]. С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано, что в халькогенидных пленках CuI–AgI–As[2]Se[3] атом меди находиться в состоянии Cu (I). Методом Оже-электронной спектроскопии доказана применимость модели измененного поверхностного слоя для объяснения ионной чувствительности халькогенидных пленочных сенсоров. |
| Название источника | Физика и химия стекла |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 48, № 4. - С. 421-427 |
