-
Получение многослойных материалов как один из способов защиты элементов электроники от воздействия электромагнитного излучения
Овчинников, В. И., Ильющенко, А. Ф., Белоус, А. И., Петлицкий, А. Н., Петлицкая, Т. В., Реут, О. П.
Получение многослойных материалов как один из способов защиты элементов электроники от воздействия электромагнитного излучения, [Текст]
Минск :
ФТИ НАН Беларуси ,
2015 .-
ил.
Современные методы и технологии создания и обработки материалов, Минск : ФТИ НАН Беларуси, 2015, Кн. 1. - С. 195-201, RU/IS/BASE/605186298, 978-985-6441-44-1 (кн. 1)
-
К вопросу испытаний элементов микроэлектроники, работающих в условиях космической навигации
Овчинников, В. И., Ильющенко, А. Ф., Белоус, А. И., Петлицкий, А. Н., Петлицкая, Т. В.
К вопросу испытаний элементов микроэлектроники, работающих в условиях космической навигации, [Текст]
Минск :
ФТИ НАН Беларуси ,
2015 .-
ил., табл.
Современные методы и технологии создания и обработки материалов, Минск : ФТИ НАН Беларуси, 2015, Кн. 1. - С. 202-207, RU/IS/BASE/605186298, 978-985-6441-44-1 (кн. 1)
-
Инновационные технологии и оборудование субмикронной электроники
Достанко, Анатолий Павлович, Завадский, С. М., Ланин, В. Л., Мадвейко, С. И., Мельников, С. Н., Петлицкий, А. Н., Петухов, И. Б., Пилипенко, В. А. , Солодуха, В. А., Телеш, Е. В.
Инновационные технологии и оборудование субмикронной электроники, Национальная академия наук Беларуси, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; под общ. ред. акад. А. П. Достанко, [Текст]
Минск :
Беларуская навука ,
2020 .-
259, [1] с. .-
цв. ил., табл.
Авт. указаны на обороте тит. л. .-
-
Применение методов сканирующей зондовой электрометрии в технологическом контроле производства изделий микроэлектроники
Жарин, А. Л., Петлицкий, А. Н., Пилипенко, В. А. , Тявловский, А.К. , Тявловский, К. Л., Гусев, О. К., Воробей, Р. И. , Пантелеев, К. В.
Применение методов сканирующей зондовой электрометрии в технологическом контроле производства изделий микроэлектроники, [Текст]
Минск :
БНТУ ,
2020 .-
Приборостроение - 2020, Минск : БНТУ, 2020, С. 78-80, RU/IS/BASE/672143416, 978-985-583-587-6
-
Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора
Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С. , Филипеня, В. А., Шестовский, Д. В., Черный, В. В., Явид, В. Ю., Янковский, Ю. Н.
Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора, [Текст]
Минск :
БНТУ ,
2020 .-
ил.
Приборостроение - 2020, Минск : БНТУ, 2020, С. 323-324, RU/IS/BASE/672143416, 978-985-583-587-6
-
Влияние [гамма]-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов
Горбачук, Н. И., Ластовский, С. Б., Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С. , Ковальчук, Н. С., Филипеня, В. А., Черный, В. В., Шестовский, Д. В., Янковский, Ю. Н.
Влияние [гамма]-облучения на вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов, [Текст]
Минск :
БНТУ ,
2020 .-
ил.
Приборостроение - 2020, Минск : БНТУ, 2020, С. 325-326, RU/IS/BASE/672143416, 978-985-583-587-6
-
Фазовые превращения в системе NiPt(5ат.%)-Si при быстрой термической обработке
Чапланов, А. М., Маркевич, М. И., Малышко, А. Н., Солодуха, В. А., Соловьев, Я. А., Сарычев, О. Э., Петлицкий, А. Н.
Фазовые превращения в системе NiPt(5ат.%)-Si при быстрой термической обработке, [Текст]
Минск :
ФТИ НАН Беларуси ,
2015 .-
ил., табл.
Современные методы и технологии создания и обработки материалов, Минск : ФТИ НАН Беларуси, 2015, Кн. 1. - С. 287-291, RU/IS/BASE/605186298, 978-985-6441-44-1 (кн. 1)
-
Моделирование обратной ветви вольтамерной характеристики кремниевого диода многочастичным методом Монте-Карло
Борздов, А. В., Борздов, В. М., Кучинский, П. В., Петлицкий, А. Н.
Моделирование обратной ветви вольтамерной характеристики кремниевого диода многочастичным методом Монте-Карло, [Текст]
Минск :
БНТУ ,
2020 .-
Приборостроение - 2020, Минск : БНТУ, 2020, С. 242-244, RU/IS/BASE/672143416, 978-985-583-587-6
