| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695484046 |
| Дата корректировки | 14:13:24 14 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47108.8870 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ерофеев, Е. В. | |
|
Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Исследованы закономерности формирования низкотемпературного омического контакта на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам Al[0.25]Ga[0.75]N/GaN на кремниевых подложках. Получены омические контакты на основе композиции Ta/Al/Ti (10/300/20 нм), характеризующиеся низким значением приведенного контактного сопротивления (0.4Ом · мм), а также гладкой морфологией поверхности контактной площадки и ее края после термической обработки при T = 550°C в течение t = 60 с в среде азота. |
| Ключевые слова | низкотемпературные омические контакты |
|
гетероэпитаксиальные структуры кремниевые подложки омические контакты |
|
|
Федин, И. В. Федина, В. В. Фазлеев, А. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 249-252 |
|
| Имя макрообъекта | Ерофеев_низкотемпературные |
| Тип документа | b |
