Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Федина, В. В.

Статьи. Автор - Федина, В. В.

• Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур
  Ерофеев, Е. В., Федин, И. В., Федина, В. В., Степаненко, М. В., Юрьева, А. В.
  
  Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур, [Текст] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 9. - С. 1278-1281 .- Ерофеев_мощные
• Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках
  Ерофеев, Е. В., Федин, И. В., Федина, В. В., Фазлеев, А. П.
  
  Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 249-252 Ерофеев_низкотемпературные