| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676120615 |
| Дата корректировки | 11:21:26 4 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.08.49648.9405 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Белова, Н. Е. | |
|
Имплантация ионов кремния в сапфир: малые дозы Электронный ресурс |
|
| Implantation of silicon ions in sapphire: low doses | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | В результате ионной имплантации ионов кремния в сапфир и последующего высокотемпературного отжига в приповерхностной области сапфира наблюдаются преципитаты кремния и алюмосиликатов. Рентгеновские измерения методом сканирования обратного пространства показали наличие напряжения сжатия с деформацией -0.12% в нормальном направлении и напряжения растяжения с деформацией 0.2% в R-плоскости в этой области, что уменьшает несоответствие параметра решетки по отношению к кремнию (100) и может привести к повышению кристаллического качества эпитаксиальных пленок кремния, выращенных на таких модифицированных сапфировых подложках. |
| Ключевые слова | ионная имплантация |
|
сапфир наночастицы преципитаты рентгеновская дифрактометрия рефлектометрия ионы кремния кремний имплантация ионов кремния |
|
|
Шемардов, С. Г. Фанченко, С. С. Головкова, Е. А. Кондратьев, О. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 766-770 |
|
| Имя макрообъекта | Белова_имплантация |
| Тип документа | b |
