| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675610879 |
| Дата корректировки | 13:49:55 29 мая 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.02.48895.9287 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кастро Арата, Р. А. | |
|
Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления Электронный ресурс |
|
| Structural and dielectric study of thin amorphous layers of Ge-Sb-Te system prepared by RF magnetron sputtering | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge-Sb-Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений. |
| Ключевые слова | тонкие аморфные слои |
|
высокочастотное магнетронное распыление магнетронное распыление халькогенидные стеклообразные полупроводники полупроводники халькогенидная система структурные свойства диэлектрические свойства тонкие пленки диэлектрическая проницаемость |
|
|
Стожаров, В. М. Долгинцев, Д. М. Кононов, А. А. Сайто, Ю. Фонс, П. Томинага, Дж. Анисимова, Н. И. Колобов, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 2. - С. 149-152 |
|
| Имя макрообъекта | Кастро Арата_структурное |
| Тип документа | b |
