Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Анисимова, Н. И.

Статьи. Автор - Анисимова, Н. И.

• Прыжковый механизм переноса заряда в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Pb[15]S[56.5]
  Кастро, Р. А., Ханин, С. Д., Анисимова, Н. И., Грабко, Г. И.
  
  Прыжковый механизм переноса заряда в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Pb[15]S[56.5], [[Текст]], Р. А. Кастро [и др.] ил. // Физика и химия стекла .- 2019 .- Т. 45, № 2. - С. 130-136 .-
• Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5]
  Кастро, Р. А., Анисимова, Н. И., Кононов, А. А.
  
  Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge[28.5]Рb[15]S[56.5], [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 912-915 Кастро_диэлектрическая
• Состояние примесных атомов олова в стеклообразных халькогенидах германия
  Марченко, А. В., Бордовский, Г. А., Анисимова, Н. И., Кожокарь, М. Ю., Серегин, П. П.
  
  Состояние примесных атомов олова в стеклообразных халькогенидах германия, [Текст] Физика и химия стекла, 2013, Т. 39, № 1. - С. 64-75
• Сверхтонкие взаимодействия ионов меди в структурах высокотемпературных сверхпроводников
  Бордовский, Г. А., Анисимова, Н. И., Марченко, А. В., Рабчанова, Т. Ю., Серегин, П. П., Томильцев, Е. А.
  
  Сверхтонкие взаимодействия ионов меди в структурах высокотемпературных сверхпроводников, [Текст] ил. физика и химия стекла, 2014, Т. 40, № 3. - С. 438-446
• Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS[2], полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
  Кононов, А. А., Кастро Арата, Р. А., Главная, Д. Д., Стожаров, В. М., Долгинцев, Д. М., Сайто, Ю., Фонс, П., Анисимова, Н. И., Колобов, А. В.
  
  Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS[2], полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 5. - С. 461-465 .- Кононов_поляризационные
• Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
  Кастро Арата, Р. А., Стожаров, В. М., Долгинцев, Д. М., Кононов, А. А., Сайто, Ю., Фонс, П., Томинага, Дж., Анисимова, Н. И., Колобов, А. В.
  
  Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 149-152 Кастро Арата_структурное