-
Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур
Ерофеев, Е. В., Федин, И. В., Федина, В. В., Степаненко, М. В., Юрьева, А. В.
Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур, [Текст]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 9. - С. 1278-1281 .-
Ерофеев_мощные
-
Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках
Ерофеев, Е. В., Федин, И. В., Федина, В. В., Фазлеев, А. П.
Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 249-252
Ерофеев_низкотемпературные
-
Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода
Ерофеев, Е. В., Федин, И. В., Кутков, И. В., Юрьев, Ю. Н.
Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 253-257
Ерофеев_увеличение
-
Формирование низкорезистивного Cu[3]Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода
Ерофеев, Е. В., Казимиров, А. И., Федин, И. В., Кагадей, В. А.
Формирование низкорезистивного Cu[3]Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1258-1262 .-
Ерофеев_формирование
