| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Формирование низкорезистивного Cu[3]Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы закономерности формирования низкорезистивного Cu[3]Ge соединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода двухслойной системы Cu/Ge, осаждeнной на подложку i-GaAs. Обработка системы Cu/Ge/i-GaAs с толщиной слоeв 122 и 78 нм соответственно в атомарном водороде с плотностью потока 10{15} aт · см{2} · с{-1} в течение 2.5-10 мин при комнатной температуре приводит к взаимодиффузии Cu и Ge и формированию поликристаллической плeнки, содержащей стехиометрическую фазу Cu[3]Ge. Плeнка состоит из вертикально ориентированных зерен размером 100-150 нм и имеет минимальное удельное сопротивление 4.5мкОм · см. Варьирование времени обработки образцов Cu/Ge/i-GaAs в атомарном водороде влияет на профили распределения Cu и Ge, фазовый состав пленок, а также на величину их удельного сопротивления. Экспериментально наблюдаемый синтез Cu[3]Ge соединения, реализующийся при комнатной температуре, свидетельствует о стимулирующем характере воздействия обработки в атомарном водороде как на диффузию Cu и Ge, так и на химическую реакцию образования соединения Cu[3]Ge. Активация данных процессов может быть обусловлена энергией, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода, адсорбированных на поверхности образца Cu/Ge/i-GaAs. |
| Ключевые слова | атомарный водород |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1258-1262 |
| Имя макрообъекта | Ерофеев_формирование |
