-
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Бушуйкин, П. А., Новиков, А. В., Андреев, Б. А., Лобанов, Д. Н., Юнин, П. А., Скороходов, Е. В., Красильникова, Л. В. , Демидов, Е. В., Савченко, Г. М., Давыдов, В. Ю.
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 12. - С. 1594-1598
Бушуйкин_особенности
-
Пористое стекло в качестве реактора синтеза наночастиц висмута
Пак, В. Н., Голов, О. В., Грабов, В. М., Демидов, Е. В., Стожаров, В. М.
Пористое стекло в качестве реактора синтеза наночастиц висмута, [Текст]
ил., табл.
Журнал общей химии, 2015, Т. 85, № 10. - С. 1600-1604
-
Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы
Каблукова, Н. С., Комаров, В. А., Сканченко, Д. О., Макарова, Е. С., Демидов, Е. В.
Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 917-920
Каблукова_гальваномагнитные
-
Зависимость морфологии поверхности ультратонких пленок висмута на слюдяной подложке от толщины пленки
Крушельницкий, А. Н., Демидов, Е. В., Иванова, Е. К., Каблукова, Н. С., Комаров, В. А.
Зависимость морфологии поверхности ультратонких пленок висмута на слюдяной подложке от толщины пленки, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 914-916
Крушельницкий_зависимость
-
Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута
Грабов, В. М., Демидов, Е. В., Иванова, Е. К., Каблукова, Н. С., Крушельницкий, А. Н., Сенкевич, С. В.
Структура пленок висмута, полученных с применением предварительно сформированного на подложке ансамбля одинаково ориентированных монокристаллических островков висмута, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 867-869
Грабов_структура
-
Измерение толщины блочных пленок висмута методом атомно-силовой микроскопии с применением избирательного химического травления
Демидов, Е. В., Комаров, В. А., Крушельницкий, А. Н., Суслов, А. В.
Измерение толщины блочных пленок висмута методом атомно-силовой микроскопии с применением избирательного химического травления, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 877-879
Демидов_измерение
-
Денситометрическое исследование протолитических равновесий в водных растворах электролитов
Лысова, С. С., Зевацкий, Ю. Э., Демидов, Е. В., Новоселов, Н. П.
Денситометрическое исследование протолитических равновесий в водных растворах электролитов, [Текст]
табл.
Журнал общей химии, 2015, Т. 85, № 4. - С. 529-534
-
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
Данильцев, В. М., Краёв, С. А., Демидов, Е. В., Дроздов, М. Н., Дроздов, Ю. Н., Краев, С. А., Суровегина, Е. А., Шашкин, В. И., Юнин, П. А.
Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1459-1462 .-
Данильцев_сильно
-
Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения
Демидов, Е. В., Грабов, В. М., Комаров, В. А., Каблукова, Н. С., Крушельницкий, А. Н.
Состояние топологического изолятора в тонких пленках висмута под воздействием плоскостной деформации растяжения, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 3. - С. 452-455 .-
Демидов_состояние
