| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/612275956 |
| Дата корректировки | 13:46:40 16 апреля 2025 г. |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | BY-HM0026 |
| Код языка издания | rus |
| Боровик | |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Яблонский, Г. П. |
| Титул (звания) | д-р физ.-математ. наук, проф. |
| Полное имя | Г. П. Яблонский |
|
Гетероструктуры на основе широкозонных полупроводников и их применение в науке и технике Текст |
|
| Место издания | Минск |
| Издательство | Беларуская навука |
| Дата издания оригинала | 2018 |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Ключевые слова |
гетероструктуры широкозонные полупроводники полупроводники широкозонные полупроводниковая гетероструктура наука полупроводниковые нитриды техника нитридные полупроводники молекулярно-пучковая эпитаксия нитрид галлия лазеры светодиоды ультрафиолетовые |
| Организация/ юрисдикция | Институт физики НАН Беларуси |
| Источник информации |
II Съезд ученых Республики Беларусь Минск : Беларуская навука, 2018 С. 163-174 RU/IS/BASE/611153304 978-985-08-2356-4 |
| Тип документа | b |
