| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Яблонский, Г. П. |
|
Гетероструктуры на основе широкозонных полупроводников и их применение в науке и технике Текст |
|
| Место издания | Минск |
| Издательство | Беларуская навука |
| Дата издания | 2018 |
| Ключевые слова |
гетероструктуры широкозонные полупроводники полупроводники широкозонные полупроводниковая гетероструктура наука полупроводниковые нитриды техника нитридные полупроводники молекулярно-пучковая эпитаксия нитрид галлия лазеры светодиоды ультрафиолетовые |
