| Индекс УДК | 535.33 |
|
Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации электронов проводимости в образцах n-InSb А. Г. Белов, Е. В. Молодцова, Н. Ю. Комаровский [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (112 Кб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Исследованы спектры инфракрасного отражения монокристаллических образцов n-InSb, легированных теллуром, при комнатной температуре. С помощью дисперсионного анализа получены спектральные зависимости действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости и построена функция потерь. Определены значения характеристического волнового числа, отвечающего высокочастотной плазмон-фононной моде и вычислены значения оптической концентрации электронов Nopt. На тех же образцах выполнены электрофизические измерения по методу Ван дер Пау при комнатной температуре и определены значения холловской концентрации NHall. Показано, что для всех исследованных образцов оптическая концентрация превышает холловскую. Высказано предположение, что приповерхностные слои образцов обогащены свободными электронами. Оценена толщина приповерхностного слоя образца, в котором формируется отраженный световой сигнал, и показано, что она не превышает 1 mum. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 132, № 9. - С. 891-894 |
|
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=78996680 |
