| Индекс УДК | 543 |
|
Plasma parametrs and silicon etching kinetics in CF[4] + C[4]F[8] + O[2] mixture: effect of CF[4]/C[4]F[8] mixing ratio A. M. Efremov, A. V. Bobylev, Kwang-Ho Kwon |
|
| Аннотация | Исследовано влияние соотношения фторуглеродных компонентов в плазмообразующей смеси CF[4] + C[4]F[8] + O[2] на электрофизические параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику травления кремния в условиях, типичных для реактивно-ионных процессов. Подтверждены известные особенности химии плазмы в индивидуальных фторуглеродных газах в присутствии кислорода. Проведен детальный анализ кинетики атомов фтора и кислорода для трехкомпонентной смеси. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 67, вып. 6. - С. 29-37 |
