Маркер записи | n 22 3 4500 |
Контрольный номер | opsp24_to132_no2_ss161_ad1 |
Дата корректировки | 8:38:57 30 сентября 2024 г. |
Кодируемые данные | 240903s2024||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
10. 61011/OS. 2024. 02. 57775. 5731-23 DOI |
|
Системный контрольный номер | RUMARS-opsp24_to132_no2_ss161_ad1 |
AR-MARS | |
Служба первич. каталог. |
Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого МАРС |
Код языка каталог. | rus |
Код языка издания |
rus rus |
Индекс УДК | 539.2 |
Индекс ББК | 22.37 |
Таблицы для массовых библиотек | |
Гременок, В. Ф. Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники 070 |
|
Исследование структурных и оптических свойств тонких пленок CdS в зависимости от времени химического осаждения В. Ф. Гременок, Е. П. Зарецкая, А. В. Станчик [и др.] |
|
Объем | 1 файл (223 Кб) |
Текст | |
электронный | |
Примечание | Загл. с титул. экрана |
Библиография | Библиогр.: с. 167-168 (34 назв.) |
Аннотация | Тонкие пленки CdS были получены химическим осаждением на стеклянные подложки для потенциального применения в качестве буферных слоев в тонкопленочных фотопреобразователях. Методами рентгеновского фазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния установлено, что синтезированные в оптимальных технологических режимах пленки CdS кристаллизуются в гексагональной структуре вюрцита. Показано, что время осаждения оказывает влияние на скорость роста, морфологические и микроструктурные характеристики синтезированного материала. С увеличением длительности синтеза при заданной температуре раствора наблюдается значительное снижение шероховатости поверхности, сопровождаемое уменьшением размеров кластеров кристаллитов и микроструктурных дефектов. Оптическая ширина запрещенной зоны пленок CdS составляет 2. 53-2. 57 eV. Наличие ярко выраженной зеленой полосы излучения в спектрах фотолюминесценции показывает, что пленки CdS обладают высокой степенью кристалличности при минимальной плотности дефектов. |
Примеч. о целев. назн. | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Физика AR-MARS Физика твердого тела. Кристаллография в целом AR-MARS |
|
Ключевые слова |
тонкие пленки оптические свойства пленок структурные свойства пленок пленки CdS химическое осаждение время химического осаждения спектры фотолюминесценции фотопреобразователи |
Зарецкая, Е. П. Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению 070 Станчик, А. В. Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники 070 Бускис, К. П. Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению 070 Пашаян, С. Т. Институт физических исследований НАН Армении 070 Toкмаджян, А. С. Институт радиофизики и электроники НАН Армении 070 Мусаелян, А. С. Институт радиофизики и электроники НАН Армении 070 Петросян, С. Г. Институт радиофизики и электроники НАН Армении 070 |
|
ISSN | 2782-6694 |
Название источника | Оптика и спектроскопия |
Место и дата издания | 2024 |
Прочая информация | Т. 132, № 2. - С. 161-168 |
RU 19013582 20240903 RCR |
|
RU 19013582 20240903 |
|
RU AR-MARS 20240903 RCR |
|
RU AR-MARS 20240903 |
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=67244214 |
|
Тип документа | b |
code year to no ss ad |
|
opsp 2024 132 2 161 1 |
|
13761 | |
Оптические материалы | |
drc cu | |
uabc | |
html |