| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zhps24_to91_no3_ss436_ad1 |
| Дата корректировки | 12:45:41 30 августа 2024 г. |
| Кодируемые данные | 240813s2024||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zhps24_to91_no3_ss436_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Индекс ББК | 22.344 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Комаров, Ф. Ф. 070 |
|
|
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и резерфордовское обратное рассеяние кремния, гипердопированного селеном Ф. Ф. Комаров, В. Тин, Л. А. Власукова [и др.] |
|
| Текст | |
| непосредственный | |
| Библиография | Библиогр.: с. 443 (23 назв. ) |
| Аннотация | Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия оценена возможность пассивации поверхности кремния селеном в результате высокодозной имплантации Se и лазерного отжига. Гиперпересыщенные селеном слои кремния формировались имплантацией ионов Se (140 кэВ, 6. 1 * 10{15} см{-2}) с последующим импульсным лазерным отжигом (лябда = 694 нм, W = 2. 0 Дж/см{2}, ? = 70 нс). Концентрация Se в подповерхностной области (2. 0-2. 5 нм) 0. 67 ат. % (3. 35 * 10{20} см{-3}). Высокую концентрацию Se можно объяснить эффектом его накопления у поверхности в ходе лазерного отжига с образованием связей Si-Se. По данным РФЭС, связей Se-O у поверхности имплантированного слоя во время импульсного лазерного отжига не образовывалось. Выбранная плотность энергии лазерного импульса W = 2 Дж/см2 позволяет достичь высокого уровня структурного совершенства (>91 %) и концентрации Se в узлах решетки Si > 69 %. |
|
Физика AR-MARS Спектроскопия AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
высокодозная ионная имплантация Se кремний лазерный отжиг пассивация поверхности рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия селен фотоэлектронная спектроскопия химический анализ приповерхностной области |
|
Тин, В. 070 Власукова, Л. А. 070 Пархоменко, И. Н. 070 Мильчанин, О. В. 070 |
|
| ISSN | 0514-7506 |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 91, № 3. - С. 436-443 |
|
RU 43013090 20240813 RCR |
|
|
RU 43013090 20240813 |
|
|
RU AR-MARS 20240813 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20240813 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zhps 2024 91 3 436 1 |
|
| 718 | |
| Рентгеновская и ядерная спектроскопия вещества |
