| Индекс УДК | 535.33 |
|
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и резерфордовское обратное рассеяние кремния, гипердопированного селеном Ф. Ф. Комаров, В. Тин, Л. А. Власукова [и др.] |
|
| Аннотация | Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия оценена возможность пассивации поверхности кремния селеном в результате высокодозной имплантации Se и лазерного отжига. Гиперпересыщенные селеном слои кремния формировались имплантацией ионов Se (140 кэВ, 6. 1 * 10{15} см{-2}) с последующим импульсным лазерным отжигом (лябда = 694 нм, W = 2. 0 Дж/см{2}, ? = 70 нс). Концентрация Se в подповерхностной области (2. 0-2. 5 нм) 0. 67 ат. % (3. 35 * 10{20} см{-3}). Высокую концентрацию Se можно объяснить эффектом его накопления у поверхности в ходе лазерного отжига с образованием связей Si-Se. По данным РФЭС, связей Se-O у поверхности имплантированного слоя во время импульсного лазерного отжига не образовывалось. Выбранная плотность энергии лазерного импульса W = 2 Дж/см2 позволяет достичь высокого уровня структурного совершенства (>91 %) и концентрации Se в узлах решетки Si > 69 %. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 91, № 3. - С. 436-443 |
