Поиск

Поглощение ИК-излучения в структурах Ti/SiO[2]/Si[3]N4/n{+}-Si с островковым поверхностным слоем различной горизонтальной геометрии

Авторы: Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И.
Подробная информация
Индекс УДК 535.33
Поглощение ИК-излучения в структурах Ti/SiO[2]/Si[3]N4/n{+}-Si с островковым поверхностным слоем различной горизонтальной геометрии
А. И. Мухаммад, П. И. Гайдук
Аннотация С помощью теоретически рассчитанных спектров поглощения инфракрасного излучения в структурах Ti/SiO[2]/Si[3]N4/n{+}-Si с островковым поверхностным слоем показано, что с увеличением размеров островков n{+}-Si при неизменном периоде их размещения на поверхности максимум поглощения уширяется и сдвигается в область с большей длиной волны. Предполагается, что этот максимум связан с возбуждением плазмонных колебаний в поверхностном островковом слое. Показано, что структура с размером островков 3 мкм и периодом их размещения 6 мкм поглощает -99 % падающего на нее излучения на длине волны, практически равной периоду (6. 2 мкм). Другие полосы поглощения в спектральных диапазонах -4 мкм и 9. 0-9. 5 мкм возникают независимо от размеров островков и связаны с поглощением в слое диоксида кремния. Установлено, что слой нелегированного кремния толщиной до 200 нм, расположенный между Ti-подложкой и слоем SiO[2], незначительно уменьшает интенсивность и полуширину максимума плазмонного поглощения.
Название источника Журнал прикладной спектроскопии
Место и дата издания 2024
Прочая информация Т. 91, № 2. - С. 227-233