| Индекс УДК | 535.33 |
|
Поглощение ИК-излучения в структурах Ti/SiO[2]/Si[3]N4/n{+}-Si с островковым поверхностным слоем различной горизонтальной геометрии А. И. Мухаммад, П. И. Гайдук |
|
| Аннотация | С помощью теоретически рассчитанных спектров поглощения инфракрасного излучения в структурах Ti/SiO[2]/Si[3]N4/n{+}-Si с островковым поверхностным слоем показано, что с увеличением размеров островков n{+}-Si при неизменном периоде их размещения на поверхности максимум поглощения уширяется и сдвигается в область с большей длиной волны. Предполагается, что этот максимум связан с возбуждением плазмонных колебаний в поверхностном островковом слое. Показано, что структура с размером островков 3 мкм и периодом их размещения 6 мкм поглощает -99 % падающего на нее излучения на длине волны, практически равной периоду (6. 2 мкм). Другие полосы поглощения в спектральных диапазонах -4 мкм и 9. 0-9. 5 мкм возникают независимо от размеров островков и связаны с поглощением в слое диоксида кремния. Установлено, что слой нелегированного кремния толщиной до 200 нм, расположенный между Ti-подложкой и слоем SiO[2], незначительно уменьшает интенсивность и полуширину максимума плазмонного поглощения. |
| Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 91, № 2. - С. 227-233 |
