| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Ионно-лучевой синтез скрытого свинцово-силикатного слоя в монокристаллическом кремнии Э. Ю. Бучин, Ю. И. Денисенко |
|
| Аннотация | Рассмотрены особенности формирования скрытого свинцово-силикатного изолирующего слоя в кремниевых подложках. Для этого в них последовательно имплантировались ионы молекулярного кислорода и свинца в атомарном соотношении 75 : 1, затем производились отжиги при температуре 1150°C в среде сухого кислорода. Распределение имплантированных ионов в экспериментальных образцах регистрировалось методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что скрытый изолятор формируется в процессе спинодального распада твердого раствора SiO[x]-PbO[x] в виде трехслойной структуры. Средняя ее часть представляет собой диоксид кремния, легированный ионами свинца, боковые части состоят из свинцово-силикатной фазы. Для анализа профиля распределения свинца предложена модель релаксационной диффузии. |
| Название источника | Физика и химия стекла |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 49, № 5. - С. 567-570 |
