Поиск

Исследование фоточувствительности композита на основе селенида и селенита свинца

Авторы: Томаев, В. В. Стоянова, Т. В. Петров, Ю. В. Михайловский, В. Ю.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер phcs23_to49_no5_ss512_ad1
Дата корректировки 11:26:16 30 октября 2023 г.
Кодируемые данные 231017s2023||||RU|||||||||||#||||# rus0|
Системный контрольный номер RUMARS-phcs23_to49_no5_ss512_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. БГТУ
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 621.315.592
Индекс ББК 31.233
Таблицы для массовых библиотек
Томаев, В. В.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт; Санкт-Петербургский горный университет
070
Исследование фоточувствительности композита на основе селенида и селенита свинца
В. В. Томаев, Т. В. Стоянова, Ю. В. Петров, В. Ю. Михайловский
Текст
непосредственный
Библиография Библиогр.: с. 520-521 (26 назв. )
Аннотация В работе обсуждается технология формирования фоторезистивных соединений на основе композита из селенида и селенита свинца, которые были сформированы путем окисления поликристаллических пленок n-PbSe. Механизм модификации поверхности пленок n-PbSe исследован с помощью сканирующего электронного микроскопa (СЭМ) Zeiss Merlin. Представлены результаты механизма окисления n-PbSe, вместе с их более ранними публикациями, исследована их согласованность между собой. Предложена теоретическая модель (гипотеза) потенциального профиля фоточувствительного гетероперехода, в которой каждый кристалл пленки n-PbSe во время окисления в атмосфере сухого воздуха образует на поверхности сплошную оболочку p-PbSeO[3]. В данной работе рассмотрена гипотеза о структурной модели фоточувствительного гетероперехода, предложенная другими авторами, на основании механизма окисления, предложенного нами, практически подтверждена в настоящей работе.
Энергетика
AR-MARS
Полупроводниковые материалы и изделия
AR-MARS
Ключевые слова полупроводниковые пленки
фотопроводимость
пленки полупроводниковые
селенид свинца
селенит свинца
ультрафиолет
оптическое излучение
фоторезистивные соединения
сканирующая электронная микроскопия
фоточувствительные композиты
композиты фоточувствительные
Стоянова, Т. В.
Санкт-Петербургский горный университет
070
Петров, Ю. В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Физический факультет
070
Михайловский, В. Ю.
Санкт-Петербургский государственный университет, Физический факультет
070
ISSN 0132-6651
Название источника Физика и химия стекла
Место и дата издания 2023
Прочая информация Т. 49, № 5. - С. 512-521
RU
22013539
20231017
RCR
RU
22013539
20231017
RU
AR-MARS
20231017
RCR
RU
AR-MARS
20231017
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
phcs
2023
49
5
512
1
14889