| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование фоточувствительности композита на основе селенида и селенита свинца В. В. Томаев, Т. В. Стоянова, Ю. В. Петров, В. Ю. Михайловский |
|
| Аннотация | В работе обсуждается технология формирования фоторезистивных соединений на основе композита из селенида и селенита свинца, которые были сформированы путем окисления поликристаллических пленок n-PbSe. Механизм модификации поверхности пленок n-PbSe исследован с помощью сканирующего электронного микроскопa (СЭМ) Zeiss Merlin. Представлены результаты механизма окисления n-PbSe, вместе с их более ранними публикациями, исследована их согласованность между собой. Предложена теоретическая модель (гипотеза) потенциального профиля фоточувствительного гетероперехода, в которой каждый кристалл пленки n-PbSe во время окисления в атмосфере сухого воздуха образует на поверхности сплошную оболочку p-PbSeO[3]. В данной работе рассмотрена гипотеза о структурной модели фоточувствительного гетероперехода, предложенная другими авторами, на основании механизма окисления, предложенного нами, практически подтверждена в настоящей работе. |
| Название источника | Физика и химия стекла |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 49, № 5. - С. 512-521 |
