| Индекс УДК | 544 |
|
On the comparison of reactive-ion etching mechanisms for SiO[2] and Si[3]N[4] in HBr + Ar plasma A. M. Efremov, V. B. Betelin, Kwang-Ho Kwon |
|
| Аннотация | Исследовано влияние соотношения компонентов в смеси HBr + Ar на электрофизические параметры плазмы, стационарные концентрации активных частиц и кинетику реактивно-ионного травления SiO[2] и Si[3]N[4] в условиях индукционного ВЧ (13, 56 МГц) разряда. Совместное использование методов зондовой диагностики и моделирования плазмы показало, что увеличение доли аргона при постоянном давлении газа и вкладываемой мощности а) приводит к увеличению температуры электронов и концентраций заряженных частиц; б) сопровождается увеличением интенсивности ионной бомбардировки обрабатываемой поверхности; и в) вызывает близкое к пропорциональному снижение концентрации и плотности потока атомов брома. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 66, вып. 6. - С. 37-45 |
