| Индекс УДК | 544.55 |
|
Plasma composition and SiO[2] etching kinetics in CF[4]/C[4]F[8]/Ar/He mixture: effects of CF[4]/C[4]F[8] mixing ratio and bias power A. M. Efremov, Kwang-Ho Kwon |
|
| Аннотация | Исследованы характеристики газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления диоксида кремния в плазме CF[4]/C[4]F[8]/Ar/He при варьировании соотношения CF[4]/C[4]F[8] и потенциала смещения в режиме малой (0, 05 Вт/см{3}) вкладываемой мощности. Интерес к такому режиму обусловлен возможностью получения высокой анизотропии травления при малых радиационных повреждениях поверхности. Схема исследования включала диагностику плазмы с помощью зондов Ленгмюра и оптической эмиссионной спектроскопии в варианте внутренней (без использования стандартной добавки) актинометрии. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 65, вып. 10. - С. 47-53 |
