Индекс УДК | 535.33 |
Структурные и оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремния М. В. Лобанок, А. И. Мухаммад, П. И. Гайдук |
|
Аннотация | Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что быстрая вакуумнотермическая карбидизация кремния при 1100 °C приводит к формированию слоев кубического карбидa кремния (SiC). Полоса ИК-спектра пропускания при 798 см{-1}, соответствующая валентному колебанию Si-C, и максимум спектра комбинационного рассеяния 793 см{-1}, соотносимый с поперечной оптической фононной модой SiC, подтверждают формирование слоя кубического политипа SiC. Методом ИК-спектроскопии обнаружена полоса поглощения Si-O-Si 1100 см{-1}. Определена зависимость коэффициента пропускания от волнового числа. |
Название источника | Журнал прикладной спектроскопии |
Место и дата издания | 2022 |
Прочая информация | Т. 89, № 2. - С. 204-209 |