| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | zoch22_to92_no4_ss547_ad1 |
| Дата корректировки | 13:25:33 1 августа 2022 г. |
| Кодируемые данные | 220624s2022||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| 10. 31857/S0044460X22040023 | |
| Системный контрольный номер | RUMARS-zoch22_to92_no4_ss547_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Петрозаводского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 544.22 |
| Индекс ББК | 24.52 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Кукушкин, С. А. Институт проблем машиноведения РАН 070 |
|
|
Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов (обзор) С. А. Кукушкин, А. В. Осипов |
|
| Другая форма заглавия | Метод согласованного замещения атомов (обзор) |
| Текст | |
| непосредственный | |
| Примечание | К 90-летию со дня рождения А. И. Русанова |
| Библиография | Библиогр.: с. 572-577 (112 назв.) |
| Аннотация | В обзоре отражены результаты технологии и теории роста карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов. Доведена технология роста пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов до стадии готовности к промышленному производству чипов с гетероструктурами для светодиодов на кремнии. |
|
Химия AR-MARS Химия твердого тела AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
карбид кремния на кремнии твердофазные реакции гетероструктуры эпитаксиальные пленки спинтроника широкозонные полупроводники выращивание пленок |
|
Осипов, А. В. Институт проблем машиноведения РАН 070 |
|
| ISSN | 0044-460X |
| Название источника | Журнал общей химии |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 92, № 4. - С. 547-577 |
|
RU 18513093 20220624 RCR |
|
|
RU 18513093 20220624 |
|
|
RU AR-MARS 20220628 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20220628 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
zoch 2022 92 4 547 1 |
|
| 12804 |
