| Индекс УДК | 544 |
|
Gas-phase parameters and silicon etching kinetics in C[6]F[12]O + О[2] plasma A. M. Efremov, V. B. Betelin, Kwang-Ho Kwon |
|
| Аннотация | В работе исследованы характеристики газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления кремния в плазме C[6]F[12]O+O[2] с использованием смеси CF[4]+O[2] в качестве системы сравнения. Эксперименты по травлению показали: а) незначительный вклад физического распыления в общую скорость процесса; б) идентичные изменения кинетики гетерогенной химической реакции в зависимости от параметров обработки. Плазма C[6]F[12]O+O[2] характеризуется более низкими абсолютными скоростями травления (что коррелирует с различиями в потоках атомов F), а также более высокими эффективными вероятностями реакции Si + F. |
| Название источника | Известия вузов. Химия и химическая технология |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 65, вып. 4. - С. 30-38 |
