Поиск

Идентификация NV-центров в синтетических флуоресцентных наноалмазах и контроль дефектности кристаллитов методом электронного парамагнитного резонанса

Авторы: Осипов, В. Ю. Богданов, К. В. Treussart, F. Rampersaud, A. Баранов, А. В.
Краткая информация
Маркер записи n 22 3 4500
Контрольный номер opsp22_to130_no2_ss332_ad1
Дата корректировки 13:21:44 1 августа 2022 г.
Кодируемые данные 220706s2022||||RU|||||||||||#||||# rus0|
10. 21883/OS. 2022. 02. 52004. 2872-21
DOI
Системный контрольный номер RUMARS-opsp22_to130_no2_ss332_ad1
AR-MARS
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого
МАРС
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 539.2
Индекс ББК 22.37
Таблицы для массовых библиотек
Осипов, В. Ю.
ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН; Университет ИТМО
070
Идентификация NV-центров в синтетических флуоресцентных наноалмазах и контроль дефектности кристаллитов методом электронного парамагнитного резонанса
В. Ю. Осипов, К. В. Богданов, F. Treussart [и др.]
Объем 1 файл (1, 05 Мб)
Текст
электронный
Примечание Загл. с титул. экрана
Библиография Библиогр.: с. 341 (30 назв.)
Аннотация Исследованы 100 nm частицы синтетического алмаза с большим (>4 ppm) количеством азот-вакансионных (NV{-}) центров. Последние обнаруживают линии, связанные с запрещенными Delta m[s]=2 и разрешенными Delta m[s]=1 переходами на спектрах электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) основного состояния NV- центра. Интенсивность люминесценции частиц в диапазоне 600-800 nm увеличивается с дозой облучения 5 MeV электронами и коррелирует с интегральной интенсивностью линии ЭПР с g-фактором g=4. 27. Эта величина используется для оценки концентрации NV (-) центров и отбора алмазных порошков с наибольшей интенсивностью флуоресценции. Зависимость пиковой интенсивности ЭПР сигнала Delta m[s]=2 перехода NV{ (-) } центра от микроволновой мощности имеет вид кривой с насыщением и последующим спадом, и достаточно хорошо характеризует кристаллическое качество локального окружения исследуемых центров в этих частицах. Интенсивность x, y Delta m[s]=1 перехода (при ~281. 2 mT, 9. 444 GHz) оказывается более чувствительной к изменению размера частицы в субмикронном диапазоне и появлению приповерхностных дефектов, полученных в ходе механической обработки.
Примеч. о целев. назн. Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Физика
AR-MARS
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
AR-MARS
Ключевые слова кристаллиты
дефектность кристаллитов
электронный парамагнитный резонанс
контроль дефектности кристаллитов
идентификация NV-центров
флуоресцентные наноалмазы
синтетические наноалмазы
Богданов, К. В.
Университет ИТМО
070
Treussart, F.
Universite Paris-Saclay
070
Rampersaud, A.
Columbus Nanoworks Inc.
070
Баранов, А. В.
Университет ИТМО
070
ISSN 0030-4034
Название источника Оптика и спектроскопия
Место и дата издания 2022
Прочая информация Т. 130, № 2. - С. 332-341
RU
19013582
20220706
RCR
RU
19013582
20220706
RU
AR-MARS
20220705
RCR
RU
AR-MARS
20220705
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48007305
Тип документа b
code
year
to
no
ss
ad
opsp
2022
130
2
332
1
13761
Нанофотоника
drc cu
uabc
html